中心波長：BATOP SESAM可提供多種中心波長的選擇，常見的如800nm、940nm、1064nm、1550nm等，覆蓋了從可見光到近紅外的范圍，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)特定波長激光的需求。

　　飽和吸收率：不同型號(hào)的SESAM具有不同的飽和吸收率，例如可能有1%、2%、5%等多種選擇。飽和吸收率決定了SESAM對(duì)光強(qiáng)的敏感程度以及在達(dá)到飽和狀態(tài)時(shí)能夠透過的光量，對(duì)于實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的鎖模和控制脈沖特性至關(guān)重要。

　　調(diào)制深度：反映了SESAM對(duì)光脈沖的調(diào)制能力，調(diào)制深度越大，越能有效地對(duì)光脈沖進(jìn)行整形和壓縮，從而獲得更窄的脈沖寬度和更高的峰值功率。

　　高反射帶寬：決定了SESAM能夠反射的光譜范圍，較寬的高反射帶寬可以支持更寬譜寬的激光，有助于產(chǎn)生更短的超短脈沖。

　　馳豫時(shí)間：半導(dǎo)體的吸收一般有兩個(gè)特征馳豫時(shí)間，帶內(nèi)熱平衡（intrabandthermalization）馳豫時(shí)間和帶間躍遷（interbandtransition）馳豫時(shí)間。帶內(nèi)熱平衡馳豫時(shí)間很短，在100-200fs左右，而帶間躍遷馳豫時(shí)間則相對(duì)較長，從幾ps到幾百ps。這兩個(gè)馳豫時(shí)間對(duì)于SESAM的鎖模性能和脈沖特性有著重要影響，例如帶間躍遷馳豫時(shí)間主要取決于半導(dǎo)體生長時(shí)襯底的溫度，生長時(shí)的溫度越低，帶間躍遷馳豫時(shí)間越短。

　　恢復(fù)時(shí)間：指的是SESAM從飽和狀態(tài)恢復(fù)到非飽和狀態(tài)所需的時(shí)間，較短的恢復(fù)時(shí)間有利于SESAM在高重復(fù)頻率的激光系統(tǒng)中快速響應(yīng)，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的鎖模。

　　損傷閾值：表示SESAM能夠承受的最大光強(qiáng)，超過該閾值可能會(huì)導(dǎo)致SESAM損壞。在實(shí)際應(yīng)用中，需要根據(jù)激光系統(tǒng)的功率來選擇具有合適損傷閾值的SESAM，以確保其長期穩(wěn)定工作。

　　能量飽和密度：反映了SESAM在單位面積上能夠吸收的最大能量，與飽和吸收率和損傷閾值等參數(shù)相關(guān)，對(duì)于高能量激光系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和應(yīng)用具有重要意義。